特許

J-GLOBAL ID：200903099495578510

光センサIC

発明者： 井上 圭二郎 ,  豊田 稲男 ,  鈴木 康利
出願人/特許権者： 株式会社デンソー
代理人 (1件)： 恩田 博宣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-325236
公開番号（公開出願番号）：特開平10-173158
出願日： 1996年12月05日
公開日（公表日）： 1998年06月26日
要約：

【要約】【課題】外来光の影響による回路素子の回路の誤動作を確実に防止することができる光センサICを提供する。【解決手段】シリコン基板1にはフォトダイオード3と信号処理回路7とが形成され、信号処理回路7にはPNPトランジスタ8とNPNトランジスタ9が形成され、信号処理回路7におけるシリコン基板1の上にはアルミ薄膜35が配置されている。PNPトランジスタ8の端部からのアルミ薄膜35の被覆距離をL(μm)とし、アルミ薄膜35が無い状態で10万ルクスの光を照射した時のPNPトランジスタ8での起電流をIo とし、10万ルクスの光を照射した時に回路の誤動作を招くPNPトランジスタ8の最小起電流をImal(min)としたとき、Imal(min)/Io に応じてPNPトランジスタ8の端部からのアルミ薄膜35の被覆距離Lが設定されている。

請求項（抜粋）：

少なくとも太陽光の照射雰囲気下で使用され、光を受光して電気信号に変換する光電変換素子と、当該光電変換素子の電気信号を処理する信号処理回路とがワンチップ化されるとともに、半導体基板における前記信号処理回路を構成する回路構成用素子が遮光膜にて覆われた光センサICにおいて、遮光膜が無い状態で太陽光を照射した時の前記回路構成用素子での起電流Ioと、太陽光を照射した時に回路の誤動作を招く前記回路構成用素子の最小起電流Imal(min)との比に応じて前記回路構成用素子の端部からの遮光膜の被覆距離Lを設定したことを特徴とする光センサIC。

IPC (2件)：

H01L 27/14 ,  H01L 31/10

FI (2件)：

H01L 27/14 Z ,  H01L 31/10 A

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭62-112382
  
• 特開昭63-224356
  
• 特開昭62-112382
  
• 特開昭63-224356