特許

J-GLOBAL ID：200903099498686933

半導体結晶の製造方法及び製造装置

発明者： 茂木 直人 ,  西尾 譲司 ,  藤田 宏元
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-053758
公開番号（公開出願番号）：特開平6-263580
出願日： 1993年03月15日
公開日（公表日）： 1994年09月20日
要約：

【要約】【目的】 溶媒移動法又はヒ-ト移動法により、化合物半導体のバルク単結晶を製造することを目的とする。【構成】 種結晶、溶媒層、結晶原料が装填された容器内空間に、成長中、溶媒層の平衡蒸気圧より高いArなどの不活性ガス圧力が加わるようにし、溶媒層により分割された種結晶側空間のガス圧力と結晶原料側空間のガス圧力とが等しくなるようにする。【効果】 加熱時の溶媒層に発生する気泡の発生が抑制され、溶媒移動法又はヒ-ト移動法により、化合物半導体のバルク単結晶が成長できる。

請求項（抜粋）：

容器内に種結晶、溶媒層、及び結晶原料を直線状に配置収容してなる成長用試料を、結晶原料が高温側、種結晶が低温側、溶媒層が温度遷移領域に位置するように加熱を行うか、又は溶媒層に対し局所的な加熱を行なう工程、及び前記温度遷移領域又は局所加熱位置を結晶原料側に順次移動させ、結晶を成長せしめる工程を具備する半導体結晶の製造方法において、前記結晶成長を、種結晶の周囲の容器内空間および結晶原料の周囲の容器内空間を占めるガスの圧力が、溶質を含む溶媒層の全蒸気圧より高い条件で行なうことを特徴とする半導体結晶の製造方法。

IPC (4件)：

C30B 9/00 ,  C30B 27/00 ,  C30B 29/40 501 ,  H01L 21/208

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭64-037489
  
• 特開平4-097993
  
• 単結晶の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-305104   出願人：富士通株式会社