厚膜パターン形成方法及び該方法による厚膜パターン

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：土井育郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-078666
公開番号（公開出願番号）：特開平9-268378
出願日： 1996年04月01日
公開日（公表日）： 1997年10月14日
要約：

【要約】【課題】超微粒子をノズルからガスと共に高速で噴射して被膜形成基板に超微粒子の圧粉体膜を形成するに際し、スキャニング性をなくし、膜の形成時間の短縮を図れるようにする。【解決手段】形成すべきパターンに対応した開口部15aを有するマスク15を基板14上に設け、このマスク15の上から超微粒子21をガス22と共に少なくとも開口部15aを覆うようにして噴射した後、マスク15を基板14から剥離することにより、マスク15の開口部15aに対応したパターンで厚膜粉体膜の厚膜パターンを基板14上に形成する。マスク15を介して噴射するのでスキャニングすることなくパターンが形成できる。

請求項（抜粋）：

超微粒子をノズルからガスと共に高速で噴射して基板上に前記超微粒子の粉体膜の厚膜パターンを形成するに際して、形成すべきパターンに対応した開口部を有するマスクを前記基板上に設け、このマスクの上から前記超微粒子をガスと共に少なくとも前記開口部を覆うようにして噴射した後、前記マスクを基板から剥離することにより、前記マスクの開口部に対応したパターンで粉体膜の厚膜パターンを基板上に形成することを特徴とする厚膜パターン形成方法。

IPC (3件)：

C23C 24/04 , C23C 4/12 , C23C 14/04

FI (3件)：

C23C 24/04 , C23C 4/12 , C23C 14/04 A

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