特許
J-GLOBAL ID:200903099503626162

基板の表面処理方法及び表面処理装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 間宮 武雄
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平6-148534
公開番号(公開出願番号):特開平7-335602
出願日: 1994年06月06日
公開日(公表日): 1995年12月22日
要約:
【要約】【目的】 基板の表面に被着形成された被膜を、基板を無水フッ化水素とアルコールとの混合蒸気にさらすことによって除去する場合に、その処理後の基板の表面上に残留するフッ素原子を、純水リンス処理によることなく効果的に基板表面上から除去できる方法を提供する。【構成】 処理室70内において無水フッ化水素とアルコールとの混合蒸気に基板Wをさらして基板表面の被膜を除去した後に、不活性ガス雰囲気又は真空雰囲気とされた搬送室92内において基板を搬送して光照射室72内へ搬入し、不活性ガス雰囲気又は真空雰囲気に保たれた光照射室内において基板に対して真空紫外光を照射する。
請求項(抜粋):
外気から気密に隔離された処理室内に基板を収容し、その処理室内へ無水フッ化水素とアルコールとを供給してその混合蒸気に基板をさらすことにより、基板の表面に被着形成された被膜を除去する基板の表面処理方法において、基板表面の被膜を除去した後、基板を不活性ガス雰囲気又は真空雰囲気中において搬送して、外気から気密に隔離され不活性ガス雰囲気又は真空雰囲気に保たれた光照射室内へ基板を搬入し、その光照射室内において基板に対して真空紫外光を照射することを特徴とする基板の表面処理方法。
IPC (4件):
H01L 21/304 341 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/302 ,  H01L 21/306
FI (4件):
H01L 21/302 N ,  H01L 21/302 Z ,  H01L 21/302 P ,  H01L 21/306 B

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