特許

J-GLOBAL ID：200903099512797174

窒化物半導体素子及びその製造方法

発明者： 長濱 慎一 ,  中村 修二
出願人/特許権者： 日亜化学工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-049906
公開番号（公開出願番号）：特開平11-251631
出願日： 1998年03月03日
公開日（公表日）： 1999年09月17日
要約：

【要約】【課題】 LEDにおいて主として基板側に漏れる光を有効に反射させて、発光素子の光取り出し効率を向上させることができ、また面発光型レーザにおいて良好な共振器となる有効な反射鏡を有することができる窒化物体素子及びその製造方法を提供することである。【解決手段】 異種基板1の上に成長された第1の窒化物半導体層2の表面上に凹凸を形成し第1の窒化物半導体層2の側面を露出して成り、その凸部の上部平面に第1の保護膜3及び凹部の下部平面に第2の保護膜4を有し、前記凹凸部の側面から成長させた第1の窒化物半導体層2より結晶欠陥の少ない第2の窒化物半導体層5上に素子構造を有する窒化物半導体素子であって、前記第1の保護膜3及び第2の保護膜4の少なくとも一方が誘電体多層膜よりなる反射鏡である。

請求項（抜粋）：

窒化物半導体と異なる材料よりなる異種基板の上に成長された第1の窒化物半導体層に凹凸を形成しその凹凸部にある第1の窒化物半導体層の側面を露出して成り、その凸部の上部平面に第1の保護膜及び凹部の下部平面に第2の保護膜を有し、前記第1及び第2の保護膜を形成していない凹凸部の側面から成長させた第1の窒化物半導体層より結晶欠陥の少ない第2の窒化物半導体層上に素子構造を有する窒化物半導体素子であって、前記第1の保護膜及び第2の保護膜の少なくとも一方が誘電体多層膜よりなる反射鏡であることを特徴とする窒化物半導体素子。

IPC (3件)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/205 ,  H01S 3/18

FI (3件)：

H01L 33/00 C ,  H01L 21/205 ,  H01S 3/18