基板のプラズマ処理中に基板バイアスを測定するための装置及び方法

発明者： , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：伊東忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-163655
公開番号（公開出願番号）：特開2003-142466
出願日： 2002年06月05日
公開日（公表日）： 2003年05月16日
要約：

【要約】【課題】高精度なバイアス制御が可能とされたプラズマ処理システムの提供を目的とする。【解決手段】プラズマを用いて基板を処理するための処理システムは、プラズマ及び基板支持体を収容するように構成された処理チャンバを含む。電極は、基板支持体に結合され、RF電源は、各電極に結合され、支持面に位置する基板にDCバイアスを生成させるため電極にバイアスをかける。複数の電圧測定回路は、複数の点での電圧を測定するためRF電源及び電極に電気的に結合される。プロセッサは、複数の測定点に基づいて電極のDCバイアスレベルを決定する。

請求項（抜粋）：

プラズマを用いて基板を処理するための処理システムであって、プラズマを収容するよう構成された処理チャンバと、上記プラズマ近傍で基板を支持する支持表面を有する、チャンバ内部の基板支持体と、上記基板支持体に結合され、上記支持表面近傍にそれぞれ位置し、相互から電気的に絶縁されている第1及び第2電極と、上記電極のそれぞれと各々の分割キャパシタを介して結合され、上記電極にバイアスをかけるRF電源であって、上記バイアスがかけられた電極が、それぞれDCバイアスを発展させ、上記支持表面上の基板でDCバイアスを生成するように動作可能である、RF電源と、一の上記電極に、該電極とその各々の分割キャパシタとの間の点で電気的に結合し、上記一の電極に関連する該点での電圧V2を測定するように動作可能である、第1電圧測定回路と、他の上記電極に、該電極とその各々の分割キャパシタとの間の点で電気的に結合し、上記他の電極に関連する該点での電圧V3を測定するように動作可能である、第2電圧測定回路と、上記RF電源に電気的に結合し、上記RF電源から上記電極に対して供給される電圧V1を測定するように動作可能である、第3電圧測定回路と、上記電圧測定回路に結合し、V1測定値と上記電極に対するV2及びV3測定値との差に基づいて上記分割キャパシタのそれぞれの両端での電圧降下を決定すると共に、該電圧降下に基づいて、少なくとも1つの上記電極に関連するDCバイアスを算出するように動作可能である、プロセッサとを含み、上記第1及び第2電極でRFの生成する相対的なDCバイアスレベルが監視され、上記電極に対する上記DCバイアスレベルが最適に調整される、処理システム。

IPC (5件)：

H01L 21/3065 , B01J 19/08 , C23C 16/50 , H01L 21/205 , H05H 1/46

FI (6件)：

B01J 19/08 H , C23C 16/50 , H01L 21/205 , H05H 1/46 L , H05H 1/46 R , H01L 21/302 101 G

Fターム (31件)：

4G075AA24 , 4G075AA30 , 4G075AA61 , 4G075BC04 , 4G075BC06 , 4G075CA25 , 4G075DA02 , 4G075DA04 , 4G075EB01 , 4G075EB42 , 4G075EC21 , 4G075FB02 , 4G075FB06 , 4G075FC15 , 4K030DA04 , 4K030DA08 , 4K030FA01 , 4K030KA20 , 4K030LA15 , 5F004AA01 , 5F004BA04 , 5F004BB18 , 5F004BB22 , 5F004BB32 , 5F004BD01 , 5F004BD04 , 5F045AA08 , 5F045BB01 , 5F045DP05 , 5F045DQ10 , 5F045EH04

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