特許
J-GLOBAL ID：200903099528047817
半導体装置及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岡本 啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-305685
公開番号（公開出願番号）：特開平6-163685
出願日： 1992年11月16日
公開日（公表日）： 1994年06月10日
要約：
【要約】【目的】本発明は、素子分離のための絶縁膜及び半導体基板内に埋め込まれた埋込み絶縁層を有し、素子間の完全絶縁分離を図る半導体装置に関し、バーズビークの形成を防止して高密度化を図るとともに、スループットの向上を図りつつ素子間の完全絶縁分離を図ることができる半導体装置の提供を目的とする。【構成】素子形成領域21a,21bの半導体基板23内部に選択的に設けられた埋込み絶縁層24a,24bと、素子形成領域21a,21bに隣接する素子分離領域22の半導体基板23に選択的に設けられ、埋込み絶縁層24a,24bと接する分離絶縁膜27と、埋込み絶縁層24a,24b及び分離絶縁膜27に囲まれた素子形成層23a,23bとを含み構成する。
請求項（抜粋）：
素子形成領域の半導体基板内部に選択的に設けられた埋込み絶縁層と、前記素子形成領域に隣接する素子分離領域の半導体基板に選択的に設けられ、前記埋込み絶縁層と接する分離絶縁膜と、前記埋込み絶縁層及び分離絶縁膜に囲まれた素子形成層とを有する半導体装置。
IPC (2件)：
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