特許

J-GLOBAL ID：200903099544904428

半導体装置及びその製造方法、並びに配線の設計方法

発明者： 松村 陽一 ,  豊永 昌彦
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 前田 弘 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-362484
公開番号（公開出願番号）：特開2001-176978
出願日： 1999年12月21日
公開日（公表日）： 2001年06月29日
要約：

【要約】【課題】 アルミニウム配線のエレクトロマイグレーション耐性を向上させる。【解決手段】 シリコン基板10上にアルミニウム膜11を形成した後、該アルミニウム膜11における配線形成領域に穴12を上下方向へ延びるように形成し、その後、該穴12に銅層14を埋め込む。シリコン基板10に対してアニールを行なって、銅層14を構成する銅原子をアルミニウム膜11の内部に拡散させた後、アルミニウム膜11における配線形成領域以外の他の領域を除去して、残存するアルミニウム膜11からなる配線を形成する。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に形成され、第1の物質を主成分とする配線を備え、前記配線に前記第1の物質と異なる第2の物質が埋め込まれていることを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/82 ,  G06F 17/50 ,  H01L 21/768

FI (3件)：

H01L 21/82 W ,  G06F 15/60 658 J ,  H01L 21/90 B

Fターム (20件)：

5B046AA08 ,  5B046BA06 ,  5F033HH07 ,  5F033HH08 ,  5F033HH09 ,  5F033HH11 ,  5F033HH12 ,  5F033HH15 ,  5F033HH18 ,  5F033MM10 ,  5F033QQ16 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ71 ,  5F033XX05 ,  5F064EE22 ,  5F064EE32 ,  5F064EE33 ,  5F064EE34 ,  5F064GG03 ,  5F064GG07