特許

J-GLOBAL ID：200903099546387323

半導体製造装置

発明者： 高橋 信春
出願人/特許権者： 株式会社日立国際電気
代理人 (1件)： 石戸 久子 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-077033
公開番号（公開出願番号）：特開2001-267312
出願日： 2000年03月17日
公開日（公表日）： 2001年09月28日
要約：

【要約】【課題】 プロセス排気ダクトのガスクーラに関する配管構造がシンプルで配管が帯電し難い半導体製造装置を提供する。【解決手段】 この発明の半導体製造装置100は、反応装置20においてウェーハ処理後の排気ガスの排気経路の途中にガスクーラを具備するプロセス排気ダクト30を設けている。そこでは、配管コネクタや配管PC1,PC2を使用してガスクーラ31を水平方向に対して約5°傾斜させ、排気ガス流出側が若干低くなるように配置している。ガスクーラによって液化された排気ガス成分は、ガスクーラの低い方の端末側に流下し、そこから適宜に収集可能であり、液化しなかった成分は、同じ端末側から立ち上がる排気経路から排気でき、ガスクーラ部分で排気経路が上下せず、排気ガスは大きい抵抗無く排気され、帯電することも少なく、上下しない分、必要なスペースも少なくなる。

請求項（抜粋）：

ウェーハ処理後の排気ガスを排気する排気経路の途中に排気ガス冷却装置を具備する半導体製造装置において、前記排気ガス冷却装置を水平方向に対して傾斜させ排気ガス流出側が若干低くなるように配置したことを特徴とする半導体製造装置。

IPC (3件)：

H01L 21/31 ,  B01D 5/00 ,  B01D 8/00

FI (3件)：

H01L 21/31 E ,  B01D 5/00 Z ,  B01D 8/00 Z

Fターム (11件)：

4D076BC03 ,  4D076BE00 ,  4D076CA02 ,  4D076HA12 ,  5F045AA20 ,  5F045AB32 ,  5F045AC11 ,  5F045DP19 ,  5F045EG06 ,  5F045EG08 ,  5F045EJ09