特許
J-GLOBAL ID：200903099548499234
薄膜ガスセンサの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山口 巖 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-369268
公開番号（公開出願番号）：特開2001-183327
出願日： 1999年12月27日
公開日（公表日）： 2001年07月06日
要約：
【要約】【課題】 感知電極の間隔が200μm以下の微少な薄膜ガスセンサでも、所定のガス感度を確保できるようにする。【解決手段】 感知電極6を形成後、感知電極6の表面を紫外線照射により清浄化した後に感知膜7を形成することにより、感知膜と電極間のコンタクト抵抗を小さくし、一定のガス感度を確保し得るようにする。
請求項（抜粋）：
薄膜状の支持膜の外周部または両端部をSi基板により支持し、外周部または両端部が厚く中央部が薄く形成されたダイヤフラム様の支持基板上に、薄膜のヒーターを形成し、この薄膜のヒーターを電気絶縁膜で覆い、その上に半導体薄膜によりガス感知膜を形成し、このガス感知膜に接して所定間隔を置いて1対の感知電極を設けてなる薄膜ガスセンサの製造方法において、前記感知電極の形成後、感知電極の表面に紫外線を照射し清浄化した後に、ガス感知膜を形成することを特徴とする薄膜ガスセンサの製造方法。
Fターム (20件)：
2G046AA11
, 2G046AA19
, 2G046AA21
, 2G046AA24
, 2G046BA01
, 2G046BA09
, 2G046BB02
, 2G046BB04
, 2G046BE03
, 2G046BE08
, 2G046EA02
, 2G046EA09
, 2G046FB00
, 2G046FB02
, 2G046FB06
, 2G046FE00
, 2G046FE10
, 2G046FE25
, 2G046FE31
, 2G046FE38
