特許

J-GLOBAL ID：200903099554794930

バナジウム酸イットリウム単結晶の製造方法

発明者： 野部 幸男 ,  勝亦 徹 ,  高島 秀尚 ,  山岸 喜代志
出願人/特許権者： 三井金属鉱業株式会社
代理人 (1件)： 伊東 辰雄 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-079231
公開番号（公開出願番号）：特開平7-267793
出願日： 1994年03月28日
公開日（公表日）： 1995年10月17日
要約：

【要約】【目的】 レーザー結晶としての性能を低下させることなく、安価で高品質なバナジウム酸イットリウム単結晶の製造方法を提供する。【構成】 融材として五酸化二バナジウムと酸化鉛を用い、該酸化鉛/五酸化二バナジウムのモル比を0.6〜1.1とし、トラベリングソルベント法または熱交換法によって結晶を育成することを特徴とするバナジウム酸イットリウム単結晶の製造方法。

請求項（抜粋）：

融材として五酸化二バナジウムと酸化鉛を用い、該酸化鉛/五酸化二バナジウムのモル比を0.6〜1.1とし、トラベリングソルベント法によって結晶を育成することを特徴とするバナジウム酸イットリウム単結晶の製造方法。

IPC (4件)：

C30B 29/30 ,  C30B 11/04 ,  C30B 21/02 ,  H01S 3/16