特許

J-GLOBAL ID：200903099556537536

ドライエッチング方法

発明者： 柳田 敏治
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 小池 晃 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-307326
公開番号（公開出願番号）：特開平6-163473
出願日： 1992年11月17日
公開日（公表日）： 1994年06月10日
要約：

【要約】【目的】 CFC(クロロフルオロカーボン)ガスを使用せずに、W-ポリサイド膜の高選択, 異方性エッチングを行う。【構成】 W-ポリサイド膜5をCO/SF6 /HBr混合ガスを用いてエッチングする。F* によるWSix 層4の高速エッチングとBr* による多結晶シリコン層3の高選択エッチングが進行する一方で、レジスト・マスク6の分解生成物に由来するCBrx ポリマーがCOに由来するC-O結合やカルボニル基等を取り込み、膜質の強固な側壁保護膜7を形成する。したがって、異方性加工に必要な入射イオン・エネルギーと炭素系ポリマーの堆積量が低減でき、レジスト・マスク6やゲート酸化膜2に対する選択性が向上する他、パーティクル汚染が抑制できる。ガスにS2 Br2 を添加してS(イオウ)の堆積を併用すれば、さらに選択性が向上し、汚染が減少する。

請求項（抜粋）：

シリコン系材料層と高融点金属シリサイド層とがこの順に積層されたポリサイド膜をエッチングするドライエッチング方法において、酸化炭素、酸化窒素、酸化イオウから選ばれる少なくとも1種類の無機酸化物を含むエッチング・ガスを用い、有機材料パターンをマスクとして前記ポリサイド膜をエッチングすることを特徴とするドライエッチング方法。

IPC (2件)：

H01L 21/302 ,  C23F 4/00

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平4-294533
  
• 特開昭61-256638
  
• 特開平4-093022
  
• 特開平2-150026