特許

J-GLOBAL ID：200903099557587456

不揮発性半導体記憶装置

発明者： 田中 智晴 ,  田中 義幸 ,  百冨 正樹 ,  伊藤 寧夫 ,  岩田 佳久
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-264908
公開番号（公開出願番号）：特開平5-109291
出願日： 1991年10月14日
公開日（公表日）： 1993年04月30日
要約：

【要約】【目的】電源電圧変動による誤書込みや誤消去を防止して高信頼性化を図ったコマンド方式のEEPROMを提供することを目的とする。【構成】メモリセルアレイ1に対する各種動作命令を入力データに応じて発生保持する命令レジスタ4を有し、データ書込み或いは消去動作中に電源電圧検知回路6が電源電圧異常を検出すると、その出力より命令レジスタ4をリセットするように構成して、誤書込みや誤消去を防止した。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に絶縁膜を介して電荷蓄積層と制御ゲートが積層形成された電気的書き替え可能なメモリセルを有するメモリセルアレイと、前記メモリセルアレイに対する各種動作命令を入力データに応じて発生保持する命令レジスタと、電源電圧の異常を検出して前記命令レジスタをリセットする手段と、を備えたことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。