特許

J-GLOBAL ID：200903099571689962

半導体レーザ素子

発明者： 池上 嘉一 ,  松本 成人
出願人/特許権者： 古河電気工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-238012
公開番号（公開出願番号）：特開平7-094825
出願日： 1993年09月24日
公開日（公表日）： 1995年04月07日
要約：

【要約】【目的】素子分離を容易に行いうるリッジ導波路型半導体レーザの構造を提供する。【構成】リッジストライブの両側に設けられた半導体除去部にポリイミドが埋め込まれたリッジ導波路型半導体レーザにおいて、素子側部7及び素子端部8のうち、リッジストライプ2の両側10〜50μmを除く部分に幅10μm以上の半導体非除去部5a、5bを設ける。【効果】素子分離のためのスクライブ溝の形成が容易となるとともに、素子端部8の劈開において良好な劈開面を形成できる。

請求項（抜粋）：

リッジストライプの両側に設けられた半導体除去部にポリイミドが埋め込まれたリッジ導波路型半導体レーザにおいて、リッジストライプの両側5〜50μmを除く素子端部及び素子側部に10μm以上の幅の半導体非除去部が設けられているとともに、前記半導体除去部のうち少なくともいずれか一方の大きさが縦横それぞれ60μm以上であることを特徴とする半導体レーザ素子。