特許

J-GLOBAL ID：200903099576022389

半導体装置の薄膜形成方法

発明者： チャンギュ キム ,  ヤンウ キム ,  ユンミン ハ ,  ホンイェ シン
出願人/特許権者： 三星電子株式会社
代理人 (1件)： 羽鳥 亘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-222561
公開番号（公開出願番号）：特開平6-326199
出願日： 1991年09月03日
公開日（公表日）： 1994年11月25日
要約：

【要約】【目的】 半導体装置の薄膜形成方法、特に平坦化された層間絶縁膜または表面保護膜を形成する方法を提供する。【構成】 半導体基板上に第1物質が塗布された領域と第2物質が塗布された領域を形成し、前記第1物質上では膜成長速度が速く、第2物質上では膜成長速度が遅い第3物質よりなる薄膜を形成して、前記2つの領域上で異なる厚さを有することを特徴とする。【効果】 超高集積半導体装置のステツプカバレージ問題を解決するための平坦化薄膜を容易に形成できる。

請求項（抜粋）：

半導体装置の薄膜形成方法において、半導体基板上に第1物質が塗布された領域と第2物質が塗布された領域を形成し、前記第1及び第2物質が塗布された領域上に、前記第1物質上では膜成長速度が速く前記第2物質上では膜成長速度が遅い第3物質よりなる薄膜を形成して、前記2つの領域上で異なる厚さを有することを特徴とする半導体装置の薄膜形成方法。

IPC (2件)：

H01L 21/90 ,  H01L 21/316