特許
J-GLOBAL ID：200903099580984748
イオン注入装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
志賀 富士弥 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-244917
公開番号（公開出願番号）：特開平7-105902
出願日： 1993年09月30日
公開日（公表日）： 1995年04月21日
要約：
【要約】【目的】 イオン注入時にレジストマスクの変質の生じないイオン注入装置を提供する。【構成】 プラテン11上に温度センサ12を配設し、設定条件温度以上の場合にインタロック装置13によってY偏向板17に印加する電圧を変えウェハWにイオンビームBを照射しないようにスキャン電源16を制御する。これによって、ウェハW上のレジストの加熱による変質を防止することが可能となる。
請求項（抜粋）：
ウェハを載置するプラテン上に温度センサを配置し、該温度センサで検出した温度が設定条件範囲内においてのみイオンビームを走査する制御部を備えることを特徴とするイオン注入装置。
IPC (2件)：
H01J 37/317
, H01L 21/265
