特許
J-GLOBAL ID：200903099589421185
化合物半導体装置の形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
長谷川 芳樹 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-186605
公開番号（公開出願番号）：特開平11-031701
出願日： 1997年07月11日
公開日（公表日）： 1999年02月02日
要約：
【要約】【課題】 半絶縁性化合物半導体基板ではなく、絶縁性基板を用いて化合物半導体装置を形成する。【解決手段】 半絶縁性GaAs基板2上に、キャップ層4、動作層6、AlN膜8を形成した後、AlN膜8にAlN絶縁基板10を接着する。次に、半絶縁性GaAs基板2の裏面側をエッチング等により除去してキャップ層4を露出させる。キャップ層4に対して半導体デバイスを形成することにより、AlN絶縁基板10を用いた化合物半導体装置が形成される。
請求項（抜粋）：
半絶縁性化合物半導体基板上に、少なくとも化合物半導体動作層を有するデバイス形成用の層を形成する第1の工程と、前記デバイス形成用の層上に、絶縁層を形成する第2の工程と、前記絶縁層上に、前記絶縁層と同材料の絶縁体から成る絶縁基板を接着する第3の工程と、前記半絶縁性化合物半導体基板を裏面側から除去して前記デバイス形成用の層を露出させる第4の工程と、前記デバイス形成用の層に半導体デバイスを形成する第5の工程と、を備えることを特徴とする化合物半導体装置の形成方法。
IPC (2件)：
H01L 21/338
, H01L 29/812
