特許
J-GLOBAL ID:200903099592594899

ホログラフィック干渉露光法を用いた回折格子作成方法及びこれを用いた光半導体装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 加藤 一男
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平5-110061
公開番号(公開出願番号):特開平6-300909
出願日: 1993年04月13日
公開日(公表日): 1994年10月28日
要約:
【要約】【目的】DFB、DBRレーザ等の1次回折用などの様な極微細な回折格子を精度よく容易に作成できる回折格子作成方法およびこれを用いた光半導体装置である。【構成】ホログラフィック干渉法を用いた回折格子の作成方法は、基板1上に相反則不軌性を有するホトレジスト2を塗布する工程を有する。干渉に用いる2つの光波の一方もしくは両方に所定の位相シフトを与える工程と、この位相シフト付与工程後にホトレジスト2を露光する工程と、ホトレジスト2をエッチングマスクとして基板1をエッチングする工程をも含む。ここで、2つの光波の位相を相対的に2π/nずつシフトさせながらホトレジスト2をn回多重露光する。以上の回折格子の作成方法によって光半導体装置の回折格子を作成する。
請求項(抜粋):
基板上に塗布した相反則不軌性を有するホトレジストをn回(n=1、2、・・・)多重露光するホログラフィック干渉露光法を用いた回折格子作成方法であって、干渉に用いる2つの光波の一方もしくは両方に所定の位相シフトを与える工程を含み、該2つの光波の位相を相対的に2π/nずつシフトさせながら基板上に塗布したホトレジストを露光し、この露光したホトレジストをエッチングマスクとして基板をエッチングすることを特徴とするホログラフィック干渉露光法を用いた回折格子作成方法。
IPC (4件):
G02B 5/18 ,  G03F 7/20 521 ,  H01L 21/027 ,  H01S 3/18

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