特許
J-GLOBAL ID：200903099610549308
半導体記憶装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
宮井 暎夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-012762
公開番号（公開出願番号）：特開2007-194492
出願日： 2006年01月20日
公開日（公表日）： 2007年08月02日
要約：
【課題】露光光波長が短くなってもレジストの傾斜・うねり・倒壊等を防止でき、半導体記憶装置の微細化・高集積化に対応できる半導体装置を提供する。【解決手段】ライン状の繰り返しパターンからなる主パターン100が集積された記憶素子形成領域を有する半導体記憶装置であって、主パターン100の長手方向に沿った記憶素子形成領域の長辺側外縁部に、記憶素子形成領域とは反対側に突起部110aを有するライン状のダミーパターン110が、主パターン100と平行に形成されている。すなわち、微細化された多数の繰り返しパターンが並列する密集した記憶素子アレイ(メモリセルアレイ)の外縁部に、記憶素子部の占有面積の増加を抑制しつつ、レジストの傾斜・うねり・倒壊等を防止するダミーパターンを配置することが可能となり、半導体記憶装置の高集積化をスムーズに促進することができる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
ライン状の繰り返しパターンからなる主パターンが集積された記憶素子形成領域を有する半導体記憶装置であって、
前記主パターンの長手方向に沿った前記記憶素子形成領域の長辺側外縁部に、前記記憶素子形成領域とは反対側に突起部を有するライン状のダミーパターンが、前記主パターンと平行に形成されていることを特徴とする半導体記憶装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L27/10 421
, H01L21/30 502P
5F083GA09
, 5F083PR01
, 5F083ZA28
