特許

J-GLOBAL ID：200903099622909350

平坦化方法、パターン形成方法およびパターン加工方法

発明者： 佐藤 康彦 ,  松山 日出人 ,  井場 淳一郎
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-003623
公開番号（公開出願番号）：特開平11-204638
出願日： 1998年01月12日
公開日（公表日）： 1999年07月30日
要約：

【要約】【課題】 平坦化特性に優れしかもレジストに対して選択性よくエッチングすることを可能とする。【解決手段】 段差を有する基板11上にシリコンとシリコンとの結合を主鎖に有する有機シリコン化合物を含む溶液を塗布して有機シリコン膜13を形成する工程と、有機シリコン膜13を加熱する工程と、加熱処理された有機シリコン膜13上にレジストパターン14を形成する工程とを有する。

請求項（抜粋）：

段差を有する基板上にシリコンとシリコンとの結合を主鎖に有する有機シリコン化合物を含む溶液を塗布して有機シリコン膜を形成することを特徴とする平坦化方法。

IPC (3件)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/312

FI (3件)：

H01L 21/90 S ,  H01L 21/312 N ,  H01L 21/30 578