特許

J-GLOBAL ID：200903099625565717

積層ゲート型不揮発性半導体記憶装置

発明者： 飯高 克弘
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 土屋 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-171862
公開番号（公開出願番号）：特開平9-330988
出願日： 1996年06月11日
公開日（公表日）： 1997年12月22日
要約：

【要約】【課題】 積層ゲート型不揮発性半導体記憶装置においてバンド-バンド間トンネル電流による信頼性の低下や短チャネル効果等を抑制しつつ微細化を進める。【解決手段】 浮遊ゲートである多結晶Si膜14がSi基板11に埋め込まれており、高濃度不純物領域21及び低濃度不純物領域22から成るソース/ドレインが浮遊ゲートの両側に設けられている。このため、多結晶Si膜14をSi基板11に深く埋め込むことによって、チャネル長及び高濃度不純物領域21の厚さを変更することなく、低濃度不純物領域22を厚くすることができてバンド-バンド間トンネル電流を抑制することができる。

請求項（抜粋）：

浮遊ゲートの上層に制御ゲートが積層されているトランジスタによってメモリセルが形成されている積層ゲート型不揮発性半導体記憶装置において、前記浮遊ゲートの膜厚方向の少なくとも一部が半導体基板に埋め込まれていることを特徴とする積層ゲート型不揮発性半導体記憶装置。

IPC (4件)：

H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 27/115

FI (2件)：

H01L 29/78 371 ,  H01L 27/10 434