特許
J-GLOBAL ID：200903099626714783
シリコンインゴット鋳造用鋳型
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小林 英一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-004995
公開番号（公開出願番号）：特開平7-206419
出願日： 1994年01月21日
公開日（公表日）： 1995年08月08日
要約：
【要約】【目的】 太陽電池等に用いる半導体シリコンを鋳型に鋳造してインゴットを製造する過程でシリコンと鋳型の付着を防ぎ、かつ離型剤とシリコンインゴットの反応や混入のない離型剤を内面に塗布した鋳型の提案。【構成】 離型剤としてY2 O3 又は第一層にSiO2 、第二層にSiO2 とSi3 N4 の混合層、第三層にSi3 N4 からなる塗布層を設ける。
請求項（抜粋）：
鋳型内面に酸化イットリウムを塗布したことを特徴とするシリコンインゴット鋳造用鋳型。
IPC (3件)：
C01B 33/02
, C30B 29/06
, H01L 31/04
