特許
J-GLOBAL ID：200903099626880551
セラミックス多層配線基板
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
須山 佐一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-042628
公開番号（公開出願番号）：特開平9-237855
出願日： 1996年02月29日
公開日（公表日）： 1997年09月09日
要約：
【要約】【課題】 パッケージ基体等として用いられるセラミックス多層配線基板において、製造歩留りの低下を招くことなく、内層配線の配線密度の高密度化を図る。【解決手段】 複数のセラミックス層2aが積層一体化された多層セラミックス基板2内には、バイアホール4と導体エレメント5とランド6とを有し、第1の入出力端子と第2の入出力端子との間の電気的な接続経路を形成する内層配線3が設けられている。ランド6のうち、同一のセラミックス層2aに形成されたバイアホール4と導体エレメント5とを接続する第1のランド6aの大きさ(D1)を、バイアホール4と隣接する他のセラミックス層2aに設けられた導体エレメント5やバイアホール4との間を接続する第2のランド6b、6cの大きさ(D2 )より小さくする。あるいは、第1のランド6aに関するパターン最小間隔を第2のランド6b、6cに関するパターン最小間隔より狭くする。
請求項（抜粋）：
複数のセラミックス層が積層一体化された多層セラミックス基板と、前記多層セラミックス基板の少なくとも一方の主面に設けられた第1および第2の入出力端子と、前記セラミックス層に設けられ、導電性材料が充填されたバイアホールと、前記セラミックス層の一方の面上に印刷形成された導体エレメントと、前記バイアホールと前記導体エレメントおよび隣接する他のセラミックス層に設けられたバイアホールから選ばれる組合せの間を接続するランドとを有し、前記第1の入出力端子と第2の入出力端子との間の電気的な接続経路を形成する内層配線とを具備するセラミックス多層配線基板において、前記ランドのうち、同一のセラミックス層に形成されたバイアホールと導体エレメントとを接続する第1のランドの大きさが、バイアホールと隣接する他のセラミックス層に設けられた導体エレメントおよびバイアホールから選ばれる少なくとも 1つとの間を接続する第2のランドの大きさより小さいことを特徴とするセラミックス多層配線基板。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 23/12 N
, H05K 3/46 H
