特許
J-GLOBAL ID：200903099627301881
液晶表示装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
須山 佐一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-349203
公開番号（公開出願番号）：特開平6-202155
出願日： 1992年12月28日
公開日（公表日）： 1994年07月22日
要約：
【要約】【目的】 TFTの静電破壊や配線の断線不良などの製造不良の発生を避けて、微細なスイッチング素子や駆動スピードの速い駆動回路を有する液晶表示装置を高い製造歩留まりで提供する。【構成】 アクティブ素子アレイ基板100のTFT121や走査線113や信号線117など主要部を導電性の良好な単結晶シリコン基板11上に形成した後に、単結晶シリコン部分を研磨又は食刻により削除するので、製造工程中で静電気が発生しても単結晶シリコン基板11に緩やかに放電されるため、静電気に起因したTFT121の静電破壊を避け、また断線不良などの製造不良を避けて、光透過型の液晶表示装置を得ることができる。
請求項（抜粋）：
半導体基板の第1主面に薄膜トランジスタと該薄膜トランジスタに接続される走査線および信号線および画素電極を形成する工程と、前記半導体基板の第2主面を研磨または食刻する工程と、前記半導体基板の研磨または食刻された後の第2主面に透明基板を貼着する工程と、前記半導体基板の第1主面と対向基板の対向電極が形成された第1主面とが対向するように前記透明基板と前記対向基板とを間隙を有して配置し、前記透明基板および前記対向基板の周囲を封止して前記間隙に液晶組成物を封入する工程とを具備することを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
IPC (3件)：
G02F 1/136 500
, G02F 1/1345
, H01L 29/784
