半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：京本直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-235158
公開番号（公開出願番号）：特開平8-097214
出願日： 1994年09月29日
公開日（公表日）： 1996年04月12日
要約：

【要約】【目的】多層膜構造の配線を下層の導電領域に接続するスルーホールなどの開口部を含めて密着性およびバリア性ならびに平滑性を向上することにある。【構成】配線間を結合するためのスルーホール4aを設けたのち、密着・バリアメタル膜5aおよびTi膜14aを順次推積させ、スルーホール4a内部のみにマスク部材23aを設けたあと、露出したTi膜14aを酸化チタン膜24に変換する。マスク部材23aを除去し、無電解めっきにより自己整合的にスルーホール4内部に充填する。埋込みAu25が形成され表面が平滑になる。不要となった酸化チタン膜24aとその下に残ったTi膜をエッチング除去し、バリアメタル膜を露出させ、これを給電パスとして電解めっき法により次層のAu膜7cを形成する。これにより、スルーホール内の空洞防止と配線の平滑性を向上できる。

請求項（抜粋）：

半導体基板上の所定の絶縁膜に開口を設けて下方の導電領域の表面を露出させる工程と、前記絶縁膜との密着性に優れた密着メタル膜およびバリアメタル膜を順次に推積して密着・バリアメタル膜を形成し、その酸化物が絶縁体である第1の金属膜を推積して前記絶縁膜の表面、前記開口部の側面および前記導電領域の露出表面を前記開口部を完全に埋込まない程度に被覆する工程と、エッチバック法を利用して前記開口部にマスク部材を埋込む工程と、前記マスク部材をマスクとする酸化処理により前記第1の金属膜を酸化物に変換させる工程と、前記マスク部材を除去した後めっきにより前記開口部を金属で埋込む工程と、前記酸化物およびその直下の第1の金属膜を除去して前記バリアメタル膜を露出させたのち第2の金属膜を選択的に形成して上層配線を形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/3205 , H01L 21/321

FI (4件)：

H01L 21/88 R , H01L 21/88 T , H01L 21/92 603 D , H01L 21/92 604 B

引用特許：

審査官引用 (3件)

特開平2-054927
特開平2-009151
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-215696 出願人：日本電気株式会社

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