特許

J-GLOBAL ID：200903099630019909

半導体発光素子

発明者： 中村 隆文 ,  合戸 邦夫 ,  田村 英男
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (3件)： 大胡 典夫 ,  竹花 喜久男 ,  宇治 弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-102844
公開番号（公開出願番号）：特開2004-311698
出願日： 2003年04月07日
公開日（公表日）： 2004年11月04日
要約：

【課題】電流集中による断線を防止できる半導体発光素子を提供すること。【解決手段】ほぼ(100)面を主面とするGaAs基板28上に形成された電流阻止層32を含む発光素子と、この電流阻止層32に連続形成され、前記GaAs基板のフラット面それぞれ実質的に垂直な方向に延長された第1および第2の電流阻止層延長部30、31が形成されている。前記電流阻止層32上には、ほぼ中央部上に形成されたボンディング部29、このボンディング部29に接続され、前記電流阻止層の第1および第2の延長部30、31上に形成された放射状の細線パターン35、36およびこれらの細線パターンに接続され、前記電流阻止層周囲の前記オーミックコンタクト層上に形成された外郭細線パターン導体37からなる電極層33が形成されている。そして、前記電流阻止層の第1の延長部30は、前記電極層の外郭細線パターン37よりも中央側において終端し、前記電流阻止層の第2の延長部31は、前記電極層の外郭細線パターン37導体下部にまで延長形成されている。【選択図】 図3

請求項（抜粋）：

ほぼ(100)面を主面とするGaAs基板上に形成された第1のクラッド層と、この第1のクラッド層上に形成されたアクティブ層と、このアクティブ層上に形成された第2のクラッド層と、この第2のクラッド層上に形成された電流拡散層と、この電流拡散層上に形成されたオーミックコンタクト層と、このオーミックコンタクト層面内のほぼ中央部に形成された電流阻止層と、この電流阻止層に連続形成され、前記GaAs基板の主フラット面に対して実質的に垂直な方向でかつ互いに反対方向に延長された第1の電流阻止層延長部と、 前記電流阻止層に連続形成され、前記GaAs基板の副フラット面に対してそれぞれ実質的に垂直でかつ互いに反対方向に延長された第2の電流阻止層延長部と、前記電流阻止層のほぼ中央部上に形成されたボンディング部、このボンディング部に接続され、前記電流阻止層の第1および第2の延長部上に形成された放射状の細線パターンおよびこれらの細線パターンに接続され、前記電流阻止層周囲の前記オーミックコンタクト層上に形成された外郭細線パターン導体からなる電極層とを備え、前記電流阻止層の第1の延長部は、前記電極層の外郭細線パターンよりも中央側において終端し、前記電流阻止層の第2の延長部は、前記電極層の外郭細線パターン導体下部にまで延長形成されていることを特徴とする半導体発光素子。

IPC (1件)：

H01L33/00

FI (1件)：

H01L33/00 A

Fターム (7件)：

5F041AA25 ,  5F041CA04 ,  5F041CA12 ,  5F041CA34 ,  5F041CA74 ,  5F041CA85 ,  5F041CB02