特許
J-GLOBAL ID：200903099630338184
表面処理装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
渡辺 昇
, 原田 三十義
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-191355
公開番号（公開出願番号）：特開2006-049299
出願日： 2005年06月30日
公開日（公表日）： 2006年02月16日
要約：
【課題】 基材を常圧近傍下の放電空間に配置して表面処理を行なう装置において、下側電極に形成された孔部に対応する部位でも他の部位と大きな差が無く均一に表面処理を行なう。 【解決手段】 上記放電空間を形成するための上側電極1と下側電極2を対向配置し、下側電極2に孔部2aを形成する。この孔部2aを通して昇降ピン3の上端の導電性のキャップ2bで基材8を支持する。昇降駆動手段5でキャップ2bを突出位置と下限位置との間で昇降させる。下限位置のときのキャップ2bの上面が、下側電極2の上面と面一に略連続して孔部2aの上端開口を閉塞するようにする。 【選択図】 図3
請求項（抜粋）：
基材を常圧近傍下の放電空間に配置して表面処理を行なう装置であって、
上側電極と、
この上側電極と対向して前記放電空間を画成する上面に孔部が開口された下側電極と、
前記孔部を通して前記基材を昇降支持すべきキャップと、
このキャップを前記下側電極より上に突出させる突出位置と、下限位置との間で昇降させる昇降駆動手段と、を備え、
前記キャップの上面が、導電性材料にて構成され、前記下限位置のときは、下側電極の上面と面一に略連続して前記孔部の上端開口を閉塞することを特徴とする表面処理装置。
IPC (1件)：
FI (1件)：
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