特許

J-GLOBAL ID：200903099632184990

環状シリコーン誘導体及びその製造法

発明者： 榊原 誠 ,  中村 元一 ,  吉松 明
出願人/特許権者： 花王株式会社
代理人 (1件)： 有賀 三幸 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-071891
公開番号（公開出願番号）：特開平7-278308
出願日： 1994年04月11日
公開日（公表日）： 1995年10月24日
要約：

【要約】【構成】 下記一般式(1)【化1】(式中、R1、R2及びR3は同一でも異なってもよく、それぞれメチル基又はフェニル基を、R4は炭素数7〜30の多環式炭化水素基を、Aは炭素原子、水素原子及び酸素原子からなる二価の基を、nは0〜15の整数を、mは1〜15の整数を示し、n+m≧3である。)で表される環状シリコーン誘導体及びその製造法。【効果】 幅広い温度範囲で液晶性を示し、かつ、熱的安定性の高い低分子化合物であり、表示デバイス等の表示素子用液晶として有用である。

請求項（抜粋）：

下記一般式(1)【化1】(式中、R1、R2及びR3は同一でも異なってもよく、それぞれメチル基又はフェニル基を、R4は炭素数7〜30の多環式炭化水素基を、Aは炭素原子、水素原子及び酸素原子からなる二価の基を、nは0〜15の整数を、mは1〜15の整数を示し、n+m≧3である。)で表される環状シリコーン誘導体。