特許

J-GLOBAL ID：200903099636530133

高純度チタン材の製造方法

発明者： 小田桐 昌宏 ,  井上 英明
出願人/特許権者： 住友シチックス株式会社
代理人 (1件)： 森 道雄 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-259143
公開番号（公開出願番号）：特開平9-104931
出願日： 1995年10月06日
公開日（公表日）： 1997年04月22日
要約：

【要約】【目的】クロール法で製造されたスポンジチタンから、LSI用配線材料の素子用薄膜として優れた特性を発揮する高純度チタン材を製造する方法を提供する。【構成】(1) クロール法による高純度チタン材の製造方法であって、クラッド鋼で構成された反応容器を用いて製造されたスポンジチタンの円筒状塊の底部から厚さが塊高さの25%以上の部分と頂部から厚さが塊高さの10%以上の部分とを切断除去し、かつ塊の円周部から厚さが塊直径の18%以上の円周部分を切断除去してのち、前記の円筒状塊重量の30%未満に相当する中心部分のスポンジチタンを採取し、切断プレスで粒径10〜 300mmに切断したのち溶解原料とすることを特徴とする高純度チタン材の製造方法。上記の場合に、切断プレスで粒径 200〜 300mmに切断したのち溶解原料とするのが望ましい。(2) 上記(1) の高純度チタン材が酸素含有量:300ppm以下、Fe、Ni、Cr、Al、Siの各元素の含有量:10ppm 以下であって、残部がチタンおよび不可避不純物からなることを特徴とする高純度チタン材の製造方法。

請求項（抜粋）：

クロール法による高純度チタン材の製造方法であって、クラッド鋼で構成された反応容器を用いて製造されたスポンジチタンの円筒状塊の底部から厚さが塊高さの25%以上の部分と頂部から厚さが塊高さの10%以上の部分とを切断除去し、かつ円筒状塊の円周部から厚さが塊直径の18%以上の円周部分を切断除去してのち、前記の円筒状塊重量の30%未満に相当する中心部分のスポンジチタンを採取し、切断プレスで粒径10〜 300mmに切断したのち溶解原料とすることを特徴とする高純度チタン材の製造方法。