特許

J-GLOBAL ID：200903099637412096

半導体装置の製造方法

発明者： 佐藤 淳一
出願人/特許権者： ソニー株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-035226
公開番号（公開出願番号）：特開平9-232308
出願日： 1996年02月22日
公開日（公表日）： 1997年09月05日
要約：

【要約】【課題】 低誘電率の酸化シリコン系絶縁膜のプラズマCVDによる成膜における、コンタミネーションやデポジションレートの低下を防止する。【解決手段】 シラン系ガス、酸化性ガス、およびKrF等の希ガス原子とフッ素原子から構成される化合物を主体とする原料ガスにより、SiOFからなる層間絶縁膜4を形成する。被処理基板に超音波を印加してもよい。【効果】 プラズマ中でのKrFの解離により発生するフッ素原子が効果的にSiO2 ネットワーク中に取り込まれる。一方の構成元素である希ガスは、SiO2 に取り込まれることなくプラズマCVDチャンバ外に除去されるので、コンタミネーションを生じる虞れはない。

請求項（抜粋）：

シラン系ガス、酸化性ガス、および希ガス原子とフッ素原子から構成される化合物を主体とする原料ガスを用いたCVD法により、被処理基板上にフッ素を含む酸化シリコン系絶縁膜を形成する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/316 ,  C23C 16/50 ,  H01L 21/31 ,  H01L 21/768

FI (4件)：

H01L 21/316 X ,  C23C 16/50 ,  H01L 21/31 C ,  H01L 21/90 K