特許
J-GLOBAL ID：200903099640762430
半導体膜形成装置、半導体膜の製造方法及び光起電力素子の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
渡辺 敬介 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-044795
公開番号（公開出願番号）：特開平11-243222
出願日： 1998年02月26日
公開日（公表日）： 1999年09月07日
要約：
【要約】【課題】 光電変換効率が高く、且つ、低コストで量産性に優れた光起電力素子を得ることのできる半導体膜形成装置を提供する。【解決手段】 半導体膜を基板上に形成する装置であって、原料ガスをガス浄化ピュリファイヤーを通して導入する手段310と、チャンバ内に設置された電極309と基板によってグロー放電を生起させる手段と、プロセス中にチャンバの排気を行うことが可能な排気手段314とを有する半導体膜形成装置。
請求項（抜粋）：
半導体膜を基板上に形成する装置であって、原料ガスをガス浄化ピュリファイヤーを通して導入する手段と、チャンバ内に設置された電極と基板によってグロー放電を生起させる手段と、プロセス中にチャンバの排気を行うことが可能な排気手段とを有することを特徴とする半導体膜形成装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 31/04 T
, H01L 21/205
