特許

J-GLOBAL ID：200903099647568302

磁気抵抗効果素子、磁気再生装置及び磁気記録再生装置

発明者： 千代延 達雄
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 岡本 啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-080997
公開番号（公開出願番号）：特開平8-279119
出願日： 1995年04月06日
公開日（公表日）： 1996年10月22日
要約：

【要約】【目的】スピンバルブ磁気抵抗効果を利用した磁気抵抗効果素子に関し、耐食性及び耐熱性の一層の向上を図る。【構成】バッファ層51aと、バイアス層12と、非磁性導電層14を挟む複数の軟磁性層13,15とが基板11上に順に積層されていることを有する。

請求項（抜粋）：

バッファ層と、バイアス層と、各層間に非磁性導電層を挟む複数の軟磁性層とが基板上に順に積層されていることを特徴とする磁気抵抗効果素子。

IPC (4件)：

G11B 5/39 ,  G01R 33/09 ,  H01F 10/30 ,  H01L 43/08

FI (4件)：

G11B 5/39 ,  H01F 10/30 ,  H01L 43/08 Z ,  G01R 33/06 R