特許

J-GLOBAL ID：200903099654364127

窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の製造方法

発明者： 幡 俊雄
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 梅田 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-136901
公開番号（公開出願番号）：特開平10-335701
出願日： 1997年05月27日
公開日（公表日）： 1998年12月18日
要約：

【要約】【課題】 有機金属気相成長法(MOVPE法)にて積層された積層構造体上に、分子線エピタキシャル法(MBE法)にて再成長する場合、再成長するために下地の成長層表面を大気中にさらすことになり、露出した表面の酸化及び汚染物の付着等が発生し、この露出表面上に再成長層を積層しても良好な再成長界面及成長層が得られない問題が生じた。【解決方法】 上記問題を解決するために、有機金属気相成長法(MOVPE法)にて半導体からなる積層構造体を形成し、連続的にその表面層に再蒸発層を積層し、前記再蒸発層を分子線エピタキシャル(MBE)装置内にて蒸発させて露出した前記積層構造体上にMBE法にてp型半導体層を再成長させて、窒化ガリウム系化合物半導体発光素子を作製する。

請求項（抜粋）：

有機金属気相成長法(MOVPE法)にて半導体からなる積層構造体を形成する工程と、連続的にMOCVD法にて前記積層構造体の表面層に再蒸発層を積層する工程と、前記再蒸発層を分子線エピタキシャル(MBE)装置内にて蒸発させる工程と、前記再蒸発層を蒸発させることによって露出した前記積層構造体上にMBE法にて成長層を再成長する工程と、を包含することを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/205 ,  H01S 3/18

FI (4件)：

H01L 33/00 C ,  H01L 21/203 M ,  H01L 21/205 ,  H01S 3/18