特許

J-GLOBAL ID：200903099664210713

GaN系化合物半導体結晶およびその製造方法

発明者： 甲斐荘 敬司 ,  佐々木 伸一
出願人/特許権者： 株式会社日鉱マテリアルズ
代理人 (1件)： 荒船 博司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-119759
公開番号（公開出願番号）：特開2002-313741
出願日： 2001年04月18日
公開日（公表日）： 2002年10月25日
要約：

【要約】【課題】 希土類13(3B)族ペロブスカイトを基板として用いたGaN系化合物半導体結晶の製造方法において、コンタミネーションの発生を効果的に抑制する技術を提供する。【解決手段】 1または2種類以上の希土類元素を含む希土類13(3B)族ペロブスカイト結晶を基板としてその表面にGaN系化合物半導体結晶を成長させる方法において、前記基板の少なくとも裏面をSiO2で被覆して、基板の構成元素である希土類元素が結晶成長中に取り込まれるのを防止するようにした。

請求項（抜粋）：

1または2種類以上の希土類元素を含む希土類13(3B)族ペロブスカイト結晶を基板としてその表面にGaN系化合物半導体結晶を成長させる方法において、前記基板の少なくとも裏面をSiO2で被覆することを特徴とするGaN系化合物半導体結晶の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/205 ,  C30B 29/38

FI (2件)：

H01L 21/205 ,  C30B 29/38 D

Fターム (24件)：

4G077AA03 ,  4G077AB01 ,  4G077BE15 ,  4G077DB05 ,  4G077EB06 ,  4G077EE06 ,  4G077TK01 ,  5F045AB14 ,  5F045AB32 ,  5F045AC03 ,  5F045AC12 ,  5F045AD10 ,  5F045AD14 ,  5F045AF05 ,  5F045AF11 ,  5F045AF13 ,  5F045BB06 ,  5F045BB07 ,  5F045BB12 ,  5F045BB14 ,  5F045CA10 ,  5F045EB13 ,  5F045EE12 ,  5F045HA04