半導体装置及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：恩田博宣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-293183
公開番号（公開出願番号）：特開平6-151427
出願日： 1992年10月30日
公開日（公表日）： 1994年05月31日
要約：

【要約】【目的】下側配線層と上側配線層とのコンタクト抵抗を低減させることができる半導体装置を提供する。【構成】半導体基板1上に形成された絶縁膜2が形成され、その絶縁膜2の上には多結晶シリコン層3が形成されている。多結晶シリコン層3上には高融点金属のシリサイド膜4が形成されている。そして、多結晶ポリシリコン3とシリサイド膜4とで下側配線層5を構成している。下側配線層5を構成するシリサイド膜4の上に保護膜6が形成され、保護膜6の上には層間絶縁層7が形成されている。層間絶縁層7はスルーホール8が形成されている。スルーホール8が形成された層間絶縁層7の上には上側配線層9を構成する多結晶シリコン層10が形成され、スルーホール8を介して上側配線層9と下側配線層5は接続される。

請求項（抜粋）：

多結晶シリコン層(3)の上に高融点金属膜又は高融点金属のシリサイド膜(4)を形成してなる下部配線層(5)の上面に層間絶縁層(7)を介して多結晶シリコン層(10)よりなる上部配線層(9)を形成し、その上部配線層(9)と下部配線層(5)とをスルーホール(8)を介して接続するようにした多層配線構造を有した半導体装置において、前記下部配線層(5)の高融点金属膜又は高融点金属のシリサイド層(4)の上面に前記層間絶縁層(7)形成時における下部配線層(5)の保護のための保護膜(6)を介在させたことを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/3205 , H01L 21/90 , H01L 21/28 301

FI (2件)：

H01L 21/88 R , H01L 21/88 Q

引用特許：

審査官引用 (2件)

特開昭63-143844
特開昭62-104138

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