特許

J-GLOBAL ID：200903099667116815

半導体回路

発明者： 角田 雄二 ,  深澤 善亮 ,  田口 雄一
出願人/特許権者： 日本電気株式会社 ,  日本電気エンジニアリング株式会社
代理人 (1件)： 若林 忠 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-319235
公開番号（公開出願番号）：特開平11-220334
出願日： 1998年11月10日
公開日（公表日）： 1999年08月10日
要約：

【要約】【課題】 回路規模を大型化したりコストアップを生じたりすることなく、周囲温度が変化した場合にゲインスロープの利得特性の変動を補償する。【解決手段】 FETQ1のゲート抵抗として、周囲温度に応じて負の温度特性を有して抵抗値が変化する感温抵抗素子であるサーミスタRtを用い、Q値の周囲の温度に対する変動とゲインスロープの周囲の温度に対する利得特性の変動とを互いに打ち消すように働かせ、それにより、周囲温度が変化した場合におけるゲインスロープの特性の変動を補償する。

請求項（抜粋）：

交流信号を増幅して出力する増幅回路を有する半導体回路において、前記増幅回路の入力側に、周囲温度に応じて抵抗値が変化する感温抵抗素子を有することを特徴とする半導体回路。

IPC (4件)：

H03F 1/30 ,  H03F 1/32 ,  H03F 1/34 ,  H03F 3/68

FI (4件)：

H03F 1/30 A ,  H03F 1/32 ,  H03F 1/34 ,  H03F 3/68 B

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 特開昭62-091008