特許

J-GLOBAL ID：200903099667702528

CVD装置

発明者： 村尾 貢司
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 大胡 典夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-048448
公開番号（公開出願番号）：特開2000-252215
出願日： 1999年02月25日
公開日（公表日）： 2000年09月14日
要約：

【要約】【課題】 CVD装置においてクリーニング工程時間を短縮させ、クリーニングガスの使用量を減少させ、成膜室内壁面のオーバエッチングを防止すること。【解決手段】 成膜室110の内部に成膜ガスを供給するための複数の成膜ガスノズル112と、クリーニングガスを供給するためのクリーニングガスノズル310と、成膜工程の対象となる成膜ターゲットを成膜室の内部に位置づけるための成膜ターゲット支持体118が設けられている。また、成膜室110の内部の側壁には、成膜工程が終わった後の残留ガスまたはクリーニング工程が終わった後の残留ガスを成膜室の外部に排出するためのガス排出口116が設けられている。クリーニングガスノズル310は、ガス排出口116までのクリーニングガスの流れが、成膜室110の中心線(線A-A)に対してほぼ対称となるような位置に配置されている。

請求項（抜粋）：

成膜室と、この成膜室の内部に成膜ガスを供給するための成膜ガスノズルと、前記成膜室の内部にクリーニングガスを供給するために設けられたクリーニングガスノズルと、前記成膜室の内部に成膜工程の対象となる成膜ターゲットを配置するために設けられた成膜ターゲット支持体と、成膜工程が終わった後の残留ガスまたはクリーニング工程が終わった後の残留ガスを前記成膜室の外部に排出するために前記成膜室の側壁に設けられたガス排出口とを含み、前記クリーニングガスノズルは、ガス排出口に至る前記クリーニングガスの流れが前記ガス排出口を通る前記成膜室の中心線に対し、ほぼ対称となるような位置に配置されていることを特徴とするCVD装置。

IPC (2件)：

H01L 21/205 ,  H01L 21/285

FI (2件)：

H01L 21/205 ,  H01L 21/285 C

Fターム (13件)：

4M104BB18 ,  4M104DD44 ,  4M104DD45 ,  4M104HH20 ,  5F045AB40 ,  5F045AC01 ,  5F045AC02 ,  5F045BB10 ,  5F045EB02 ,  5F045EB06 ,  5F045EE20 ,  5F045EF08 ,  5F045EF20