特許

J-GLOBAL ID：200903099668426397

レーザアニールin-situ膜質評価装置

発明者： 山口 裕功 ,  尾形 潔 ,  田村 太久夫
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 作田 康夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-169047
公開番号（公開出願番号）：特開2001-345284
出願日： 2000年06月01日
公開日（公表日）： 2001年12月14日
要約：

【要約】【課題】非晶質膜のレーザアニール過程における微小部のラマンスペクトルを高感度に測定可能にする。【解決手段】対物レンズに穴を穿ち、穴を通してエキシマレーザ光を膜に照射すると同時に、この対物レンズによりYAGレーザ光を試料に集光照射してラマン光を収集する。

請求項（抜粋）：

試料基板上の非晶質薄膜に第1のパルスレーザ光を照射して結晶化を行う照射手段と、該第1のパルスレーザ光照射からある定めた時間間隔をおいて第2のパルスレーザ光を該薄膜に照射し、生じた光を分光検出することにより膜質を評価するプローブ手段とを備える成膜装置において、該プローブ手段は、該第2のパルスレーザ光を薄膜の微小領域に集光させるものとしてなり、該第1及び第2のパルスレーザ光のパルス毎に該薄膜へのレーザ光の照射位置を変える手段を備えることを特徴とする膜質評価装置。

IPC (4件)：

H01L 21/268 ,  G01L 1/24 ,  G01N 21/65 ,  H01L 21/66

FI (5件)：

H01L 21/268 T ,  H01L 21/268 J ,  G01L 1/24 Z ,  G01N 21/65 ,  H01L 21/66 L

Fターム (22件)：

2G043AA06 ,  2G043EA10 ,  2G043FA02 ,  2G043GA07 ,  2G043GB19 ,  2G043HA01 ,  2G043HA02 ,  2G043JA01 ,  2G043KA02 ,  2G043KA03 ,  2G043KA05 ,  2G043MA04 ,  4M106AA01 ,  4M106AB17 ,  4M106BA05 ,  4M106CB30 ,  4M106DH01 ,  4M106DH12 ,  4M106DH32 ,  4M106DH38 ,  4M106DH39 ,  4M106DH56