特許
J-GLOBAL ID：200903099696994430
超格子構造体及び半導体発光素子
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-071403
公開番号（公開出願番号）：特開平6-283822
出願日： 1993年03月30日
公開日（公表日）： 1994年10月07日
要約：
【要約】【目的】キャリア・オーバフローを抑制し、入射電子またはホールを有効に閉じ込めることを目的とする。【構成】バンドギャップの異なる複数の結晶を組み合わせ、これら結晶の層厚またはバンドギャップを、入射電子またはホールの反射波が位相を強め合うように構成した超格子構造体において、少なくとも1種類の結晶の層厚またはバンドギャップを連続的に変化させたことを特徴とする。
請求項（抜粋）：
バンドギャップの異なる複数の結晶を組み合わせて成る超格子構造体において、超格子構造体へ入射するキャリアの反射波が位相を強め合うように前記結晶の層厚またはバンドキャップを構成し、さらに、少なくとも1種類の結晶の層厚またはバンドキャッブを連続的に変化させたことを特徴とする超格子構造体。
IPC (2件)：
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