特許

J-GLOBAL ID：200903099708619576

炭素構造体の製造方法及び炭素構造体、並びに炭素構造体の集合体及び分散体

発明者： 白谷 俊史 ,  相京 浩幸 ,  山本 昌樹 ,  遠田 淳 ,  下村 政嗣 ,  山本 貞明 ,  居城 邦治 ,  土方 健二 ,  藪 浩 ,  松尾 保孝 ,  田中 賢
出願人/特許権者： 三菱化学株式会社 ,  国立大学法人 北海道大学
代理人 (1件)： 真田 有
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-317609
公開番号（公開出願番号）：特開2007-169148
出願日： 2006年11月24日
公開日（公表日）： 2007年07月05日
要約：

【課題】様々な形状のナノ構造を有する炭素構造体を安価且つ効率的に作製することが可能な炭素構造体の製造方法を提供する。【解決手段】含炭素材料をパターンに成形した後、得られたパターンを原形型で被覆し、焼成して炭素化させる。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

含炭素材料をパターンに成形した後、得られたパターンを原形型で被覆し、焼成して炭素化させる ことを特徴とする、炭素構造体の製造方法。

IPC (2件)：

C04B 35/52 ,  C01B 31/02

FI (3件)：

C04B35/52 F ,  C01B31/02 101A ,  C01B31/02 101Z

Fターム (34件)：

4G132AA01 ,  4G132AA14 ,  4G132AA16 ,  4G132AA20 ,  4G132BA06 ,  4G132BA16 ,  4G132BA22 ,  4G132BA29 ,  4G132CA04 ,  4G132CA05 ,  4G132CA06 ,  4G132CA13 ,  4G132CA18 ,  4G132GA01 ,  4G132GA08 ,  4G132GA20 ,  4G132GA25 ,  4G132GA28 ,  4G132GA31 ,  4G146AA01 ,  4G146AB05 ,  4G146AB10 ,  4G146AD11 ,  4G146AD14 ,  4G146BA13 ,  4G146BA16 ,  4G146BA17 ,  4G146BA18 ,  4G146BA22 ,  4G146BB05 ,  4G146BB15 ,  4G146BC02 ,  4G146BC03 ,  4G146BC34B

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 向上された機械的強度を有するナノ多孔性炭素の製造方法及びそれによって製造されるナノ多孔性炭素
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-365606   出願人：三星電子株式会社
• 炭素材料からなる熱放射体、その製造方法およびその放射体を備えた熱放射光源
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-124438   出願人：松下電器産業株式会社