特許

J-GLOBAL ID：200903099713509487

半導体製造装置

発明者： 佐藤 一之
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 野田 茂
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-152231
公開番号（公開出願番号）：特開平11-323561
出願日： 1998年05月14日
公開日（公表日）： 1999年11月26日
要約：

【要約】【課題】 半導体ウェハー上にきわめて均一な厚みで薄膜を形成する。【解決手段】 超音波振動発生装置10はレール14に対して矢印Cの方向に加振し、レール14の振動はレール14に当接するローラ12および支柱10を介してテーブル8に伝達する。その結果、テーブル8上に載置された半導体ウェハー4には矢印Cの方向に超音波振動が加えられる。そして、キャタピラベルト上に配置されたサセプタ18がレール14に沿って移動すると、外周面がレール14に当接するローラ12が回転し、半導体ウェハー4はテーブル8と共に回転する。そのため、半導体ウェハー4に超音波振動が加えられ、しかもその振動方向が常に変化する状態で、反応ガスが半導体ウェハー4に供給されて成膜が行われる。

請求項（抜粋）：

半導体ウェハーに反応ガスを供給し反応物を前記半導体ウェハー上に堆積させて成膜する半導体製造装置であって、前記半導体ウェハーの延在方向に振動し、かつ振動方向が変化する超音波振動を前記半導体ウェハーに加える加振手段を備えた、ことを特徴とする半導体製造装置。

IPC (4件)：

C23C 16/44 ,  C23C 16/46 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/68

FI (4件)：

C23C 16/44 G ,  C23C 16/46 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/68 N