特許

J-GLOBAL ID：200903099715558256

エッチング方法

発明者： 輿石 公
出願人/特許権者： 東京エレクトロン株式会社
代理人 (1件)： 金本 哲男 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-302138
公開番号（公開出願番号）：特開平9-129611
出願日： 1995年10月26日
公開日（公表日）： 1997年05月16日
要約：

【要約】【課題】 被処理基板上の酸化シリコン系材料層をC4F8ガスを用いてエッチングするにあたり、COを添加せずとも高いエッチングレートが確保でき、かつデポの少ないエッチング特性を得る。【解決手段】 減圧自在な処理室2内に所定の処理ガスを導入し、数mTorr〜100mTorr程度の減圧度の下で処理室2内にプラズマを発生させて、ウエハW上の酸化シリコン系材料層をエッチングするにあたり、処理ガスとしてC4F8ガス/希ガス/O2を用いると共に、C4F8ガスの分圧を0.5mTorr〜1.5mTorr、C4F8ガス:O2の比を1:1.5〜5に設定してエッチングする。

請求項（抜粋）：

減圧自在な処理室内に所定の処理ガスを導入し、所定の減圧度の下でこの処理室内にプラズマを発生させて、この処理室内の被処理基板上の酸化シリコン系材料層をエッチングする方法であって、処理ガスとしてC4F8ガスと希ガスとO2を用いると共に、C4F8ガスのプロセス圧に対する分圧を0.5mTorr〜1.5mTorr、C4F8ガス:O2の比を1:1.5〜5に設定してエッチングすることを特徴とする、エッチング方法。

IPC (3件)：

H01L 21/3065 ,  C23F 4/00 ,  H05H 1/46

FI (5件)：

H01L 21/302 F ,  C23F 4/00 A ,  C23F 4/00 E ,  H05H 1/46 M ,  H01L 21/302 C