半導体装置用基板並びに半導体装置及びそれらの製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-273543
公開番号（公開出願番号）：特開平10-125819
出願日： 1996年10月16日
公開日（公表日）： 1998年05月15日
要約：

【要約】【課題】本発明は、高密度で薄型であり、かつ高い平滑性をもつ実装面を実現でき、実装の確実性の向上を図る。【解決手段】液状樹脂が硬化されてなる絶縁層1と、絶縁層の一方の面に形成され、半導体チップに接続可能に配置された複数の接続電極2と、絶縁層の一方の面に形成され、各接続電極に個別に接続された複数の配線領域3と、表面が絶縁層に被覆されずに絶縁層の表面よりも凹んだ位置にあり、かつ側面が絶縁層に被覆されるように絶縁層の他方の面内に形成され、外部要素に接続可能に配置された複数のランド電極4と、各ランド電極と各配線領域とを個別に接続する複数のバイア5とを備えた半導体装置用基板並びに半導体装置及びそれらの製造方法。

請求項（抜粋）：

液状樹脂が硬化されてなる絶縁層と、前記絶縁層の一方の面に形成され、半導体チップに接続可能に配置された複数の接続電極と、前記絶縁層の一方の面に形成され、前記各接続電極に個別に接続された複数の配線領域と、表面が前記絶縁層に被覆されずに前記絶縁層の表面よりも凹んだ位置にあり、かつ側面が前記絶縁層に被覆されるように前記絶縁層の他方の面内に形成され、外部要素に接続可能に配置された複数のランド電極と、前記各ランド電極と前記各配線領域とを個別に接続する複数のバイアとを備えたことを特徴とする半導体装置用基板。

IPC (3件)：

H01L 23/12 , H01L 21/56 , H05K 3/00

FI (4件)：

H01L 23/12 Q , H01L 21/56 E , H05K 3/00 C , H01L 23/12 L

引用特許：

審査官引用 (1件)

半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-319866 出願人：松下電器産業株式会社

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