特許

J-GLOBAL ID：200903099721388370

半導体発光素子およびその製造方法

発明者： 近藤 雅文 ,  種谷 元隆
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-097677
公開番号（公開出願番号）：特開2002-299686
出願日： 2001年03月29日
公開日（公表日）： 2002年10月11日
要約：

【要約】【課題】 発光センターとなる希土類元素を増加させ、発光効率を向上させる。【解決手段】 n型GaN基板1上に、n型GaNからなる第1のクラッド層2、歪み発光層3、p型GaNからなる第2のクラッド層第4がそれぞれ順番に形成されており、歪み発光層3に、GaおよびN以外の元素と希土類元素とが添加されている

請求項（抜粋）：

基板上に、第1導電型半導体層、歪み発光層、第2導電型半導体層がそれぞれ順番に形成されており、該歪み発光層に、該基板の構成元素以外の元素および希土類元素が添加されていることを特徴とする半導体発光素子。

IPC (2件)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/205

FI (2件)：

H01L 33/00 C ,  H01L 21/205

Fターム (23件)：

5F041AA04 ,  5F041AA12 ,  5F041AA14 ,  5F041CA04 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA57 ,  5F041CA65 ,  5F041FF11 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AC08 ,  5F045AC09 ,  5F045AC12 ,  5F045AD10 ,  5F045AD14 ,  5F045AF04 ,  5F045AF09 ,  5F045BB16 ,  5F045CA09 ,  5F045DA53