特許
J-GLOBAL ID：200903099723015580
薄膜トランジスタの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
樺澤 襄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-153291
公開番号（公開出願番号）：特開平5-003212
出願日： 1991年06月25日
公開日（公表日）： 1993年01月08日
要約：
【要約】【目的】 多結晶シリコンの薄膜化、および、結晶粒径の拡大を図り、特性を向上させる薄膜トランジスタの製造方法を提供する。【構成】 石英基板1上に厚さ6000オングストロームの非晶質シリコンを形成する。非晶質シリコンを600°Cでアニールし、結晶粒径5μm以上の大粒径の多結晶シリコン2を得る。多結晶シリコン2の表面を熱酸化処理し、多結晶シリコン2の表面を酸化膜に変化させる。酸化膜を除去し、多結晶シリコン2の膜厚を1500オングストロームの厚さにし、パターニングする。多結晶シリコン2の表面に、ゲート酸化膜3およびゲート電極4を配設し、ソース・ドレイン領域にイオン注入する。層間絶縁膜5を形成し、石英基板1に連通するコンタクトホール6,6を2つ形成する。コンタクトホール6,6に金属配線して、ソース電極7およびドレイン電極8を形成する。
請求項（抜粋）：
基板上に4000オングストロ-ム以上の非晶質シリコンを形成し、この非晶質シリコンをアニールして多結晶シリコンとし、多結晶シリコンを2000オングストローム以下に薄膜化し、多結晶シリコンをパターニングし、この薄膜化されパターニングされた多結晶シリコンにゲート酸化膜を形成し、このゲート酸化膜にゲート電極を形成し、前記ゲート酸化膜上に層間絶縁層を形成し、この層間絶縁層に前記多結晶シリコンに連通するスルーホールを形成し、このスルーホールに前記多結晶シリコンに接続されるソース電極およびドレイン電極を形成することを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/336
, H01L 29/784
, H01L 21/20
, H01L 21/324
