多層配線とその形成方法およびレジスト軟化装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小野寺洋二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-125736
公開番号（公開出願番号）：特開2000-315683
出願日： 1999年05月06日
公開日（公表日）： 2000年11月14日
要約：

【要約】【課題】レジストパターン1回形成でアンダーカットなく形成し、かつ段差1段あたりの高さを低くすることで層間絶縁膜の被覆性を良好にした多層配線とその形成方法および製造装置を提供する。【解決手段】絶縁基板100の上に形成した異種金属の膜200、300、400を積層してなり、絶縁基板100側の下層200から上層400にかけて順次階段状の断面形状を有し、当該断面形状が前記絶縁基板と垂直な多層配線の中心線に関して左右対称、かつ階段状の上下の金属層の左右のずれを当該上下の金属層の幅の差の1/2以下とした。

請求項（抜粋）：

絶縁基板の上に異種金属の多層膜からなり、前記多層膜が前記絶縁基板側の下層から上層にかけて順次階段状の断面形状を有し、当該断面形状が前記絶縁基板と垂直な多層配線の中心線に関して左右対称、かつ前記階段状の上下の金属層の左右のずれが当該上下の金属層の幅の差の1/2以下であることを特徴とする多層配線。

IPC (9件)：

H01L 21/3065 , G02F 1/1343 , G02F 1/1345 , G03F 7/40 521 , H01L 21/28 , H01L 21/027 , H01L 21/3205 , H01L 29/786 , H01L 21/336

FI (10件)：

H01L 21/302 L , G02F 1/1343 , G02F 1/1345 , G03F 7/40 521 , H01L 21/28 E , H01L 21/30 570 , H01L 21/88 B , H01L 29/78 617 K , H01L 29/78 617 L , H01L 29/78 627 C

Fターム (83件)：

2H092GA13 , 2H092GA17 , 2H092GA25 , 2H092GA26 , 2H092GA33 , 2H092GA34 , 2H092HA04 , 2H092HA12 , 2H092MA15 , 2H092MA17 , 2H092MA23 , 2H092MA35 , 2H092NA16 , 2H092NA29 , 2H092PA01 , 2H096AA00 , 2H096AA25 , 2H096AA27 , 2H096HA01 , 2H096HA17 , 2H096JA04 , 4M104BB02 , 4M104BB13 , 4M104BB36 , 4M104DD37 , 4M104DD64 , 4M104DD71 , 4M104EE06 , 4M104EE17 , 4M104FF13 , 4M104GG20 , 4M104HH13 , 5F004AA11 , 5F004DB08 , 5F004DB09 , 5F004DB31 , 5F004EA09 , 5F004EA10 , 5F004EA25 , 5F004EB02 , 5F004FA01 , 5F004FA08 , 5F033HH08 , 5F033HH17 , 5F033HH35 , 5F033HH38 , 5F033MM08 , 5F033QQ08 , 5F033QQ19 , 5F033QQ26 , 5F033RR06 , 5F033SS15 , 5F033VV06 , 5F033VV15 , 5F033XX02 , 5F046KA10 , 5F046LA18 , 5F110AA03 , 5F110AA26 , 5F110BB01 , 5F110CC07 , 5F110DD02 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE07 , 5F110EE14 , 5F110EE15 , 5F110EE22 , 5F110EE25 , 5F110EE33 , 5F110EE43 , 5F110EE44 , 5F110EE45 , 5F110FF03 , 5F110FF30 , 5F110GG02 , 5F110GG15 , 5F110HK02 , 5F110HK09 , 5F110HK22 , 5F110NN02 , 5F110QQ02 , 5F110QQ05

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