特許

J-GLOBAL ID：200903099725212439

半導体記憶装置及びその使用方法

発明者： 坂上 栄人
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 則近 憲佑
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-052135
公開番号（公開出願番号）：特開平8-250609
出願日： 1995年03月13日
公開日（公表日）： 1996年09月27日
要約：

【要約】【構成】 ソース・ドレイン・ゲート・チャネルを有するMOSトランジスタにおいて、チャネルとゲートとの間に金属絶縁体転移部材が挿入されていることを特徴とする。【効果】 過消去をなくして信頼性を向上しつつ、チップ面積を増大させず、消去時間を短縮させることが可能な半導体記憶装置を提供できる。

請求項（抜粋）：

半導体基板と、前記半導体基板表面に間隔を空けて形成したソース・ドレイン領域と、前記ソース・ドレイン間のチャネル領域上に形成した第1の絶縁膜と、前記第1の絶縁膜上に形成した注入された電荷の量に応じて金属と絶縁体との間を転移する部材からなる金属絶縁体転移膜と、前記金属絶縁体転移膜上に形成した第2の絶縁膜と、前記第2の絶縁膜上に形成した導電性部材からなるゲート電極とから構成されることを特徴とする半導体記憶装置。

IPC (4件)：

H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 27/115

FI (2件)：

H01L 29/78 371 ,  H01L 27/10 434