特許
J-GLOBAL ID：200903099725497379
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-095562
公開番号（公開出願番号）：特開平10-290006
出願日： 1997年04月14日
公開日（公表日）： 1998年10月27日
要約：
【要約】【課題】ゲート電極の開口部が長方形のストライプ構造のIGBTでは、ゲートの端部と中央部間の抵抗が大きいとゲート中央部の電流の遮断が遅いため、電流集中を生じ、IGBTが破壊してしまう。従来は、ゲート電極材料としてポリシリコンが使われてきた。ポリシリコンは抵抗が大きいため、ゲートの端部と中央部間の抵抗を下げるためには、多くのゲート配線領域を設け、ゲートの端部と中央部間の距離を小さくしなければならず、チップが有効に使えないという問題があった。ゲート抵抗を低減し、遮断電流を向上するとともに、ゲート領域を小さくしチップ面積利用率を向上する。【解決手段】ゲート電極材料にシリサイド層11を使用する。【効果】シリサイドは、ポリシリコンに比べ抵抗が1桁以上低いので、ストライプ構造にて、端部と中央部の長さを長くしてもゲート抵抗を小さくできる。
請求項（抜粋）：
第1導電型の第1の半導体層と、前記第1の半導体層上に形成された第2導電型の第2の半導体層と、前記第2の半導体層内に複数個形成された第1導電型の第3の半導体層と、前記第3の半導体層内に形成された第2導電型の第4の半導体層と、前記第1の半導体層とオーミック接触する第1の主電極と前記第3の半導体層と前記第4の半導体層にオーミック接触する第2の主電極と前記第2,3及び4の半導体層上に形成された絶縁膜と前記絶縁膜上に形成されたゲート電極を有し、前記ゲート電極の開口部が長方形に設けられている半導体装置において、前記ゲート電極がシリサイドであることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
FI (4件)：
H01L 29/78 652 K
, H01L 29/46 T
, H01L 29/78 655 A
, H01L 29/78 655 F
