特許

J-GLOBAL ID：200903099732541014

磁気抵抗効果センサーおよび磁気ディスク装置

発明者： 中 洋之 ,  斉藤 和浩
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-024733
公開番号（公開出願番号）：特開2003-229612
出願日： 2002年01月31日
公開日（公表日）： 2003年08月15日
要約：

【要約】【課題】 センス電流を膜面垂直方向に通電するモードで動作し、膜面内方向に誘導される電流磁界による磁化自由層での還流磁区などの磁区形成を防ぐことができ、バルクハウゼンノイズの発生を抑制できる磁気抵抗効果センサーを提供する。【解決手段】 非磁性中間層(152)を挟んで設けられた磁化固着層(153)および磁化自由層(151)を有し、磁化固着層(153)は磁化が膜面内に固着され、磁化自由層(151)は磁化容易軸が膜面に対してほぼ垂直に配向している磁気抵抗効果膜(15)と、磁気抵抗効果膜(15)の膜面に垂直な方向にセンス電流を通電する1対の電極層とを有する磁気抵抗効果センサー。

請求項（抜粋）：

非磁性中間層を挟んで設けられた磁化固着層および磁化自由層を有し、前記磁化固着層は磁化が膜面内に固着され、前記磁化自由層は磁化容易軸が膜面に対してほぼ垂直に配向している磁気抵抗効果膜と、前記磁気抵抗効果膜の膜面に垂直な方向にセンス電流を通電する1対の電極層とを有することを特徴とする磁気抵抗効果センサー。

IPC (3件)：

H01L 43/08 ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/16

FI (4件)：

H01L 43/08 Z ,  H01L 43/08 M ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/16

Fターム (12件)：

5D034BA03 ,  5D034BA04 ,  5D034BA05 ,  5D034BA09 ,  5D034BA12 ,  5D034CA04 ,  5D034CA08 ,  5E049AA04 ,  5E049AC05 ,  5E049BA06 ,  5E049BA16 ,  5E049CB02