特許

J-GLOBAL ID：200903099733269164

半導体装置

発明者： 当山 勝利
出願人/特許権者： 株式会社村田製作所
代理人 (1件)： 岡田 和秀
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-097705
公開番号（公開出願番号）：特開平6-310545
出願日： 1993年04月23日
公開日（公表日）： 1994年11月04日
要約：

【要約】【目的】半導体装置の最高発熱温度を下げるとともに、半導体装置を構成する各増幅部の発熱温度を均一化する。【構成】並列配置した複数のゲート櫛歯電極2cを備えるとともに、これらゲート櫛歯電極2cの配置間隔Wをゲート櫛歯電極2cの配列方向中央部が最も広く、かつ配列方向端部にいくにしたがって狭くした半導体装置。

請求項（抜粋）：

並列配置した複数のゲート櫛歯電極(2c)を備えるとともに、これらゲート櫛歯電極(2c)の配置間隔(W)をゲート櫛歯電極(2c)の配列方向中央部が最も広く、かつ配列方向端部にいくにしたがって狭くしたことを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 21/338 ,  H01L 29/812

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭62-293781
  
• 特開昭61-168959
  
• 特開昭62-293781
  
• 特開昭61-168959